Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

4-1625868-3

4-1625868-3

частка акцыі: 153518

Супраціўленне: 14.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

Пажаданні
4-2176073-3

4-2176073-3

частка акцыі: 135059

Супраціўленне: 1.47 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

Пажаданні
4-2176073-9

4-2176073-9

частка акцыі: 192040

Супраціўленне: 1.69 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

Пажаданні
4-2176073-6

4-2176073-6

частка акцыі: 188871

Супраціўленне: 1.58 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

Пажаданні
4-2176073-7

4-2176073-7

частка акцыі: 102627

Супраціўленне: 1.62 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

Пажаданні
4-2176073-2

4-2176073-2

частка акцыі: 182792

Супраціўленне: 1.43 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

Пажаданні
4-2176073-5

4-2176073-5

частка акцыі: 129646

Супраціўленне: 1.54 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

Пажаданні
4-2176073-8

4-2176073-8

частка акцыі: 120874

Супраціўленне: 1.65 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

Пажаданні
4-2176073-1

4-2176073-1

частка акцыі: 101601

Супраціўленне: 1.4 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

Пажаданні
4-2176073-0

4-2176073-0

частка акцыі: 122804

Супраціўленне: 1.37 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

Пажаданні
4-2176073-4

4-2176073-4

частка акцыі: 119586

Супраціўленне: 1.5 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

Пажаданні
4-1622824-3

4-1622824-3

частка акцыі: 105228

Супраціўленне: 620 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
4-2176074-9

4-2176074-9

частка акцыі: 147137

Супраціўленне: 18.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

Пажаданні
4-2176074-6

4-2176074-6

частка акцыі: 132722

Супраціўленне: 16.9 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

Пажаданні
4-2176074-4

4-2176074-4

частка акцыі: 177054

Супраціўленне: 16.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

Пажаданні
4-2176074-5

4-2176074-5

частка акцыі: 114207

Супраціўленне: 16.5 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

Пажаданні
4-2176074-7

4-2176074-7

частка акцыі: 143481

Супраціўленне: 17.4 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

Пажаданні
4-2176074-1

4-2176074-1

частка акцыі: 156159

Супраціўленне: 15 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

Пажаданні
4-2176074-0

4-2176074-0

частка акцыі: 145425

Супраціўленне: 14.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

Пажаданні
4-2176074-8

4-2176074-8

частка акцыі: 143731

Супраціўленне: 17.8 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

Пажаданні
4-2176074-3

4-2176074-3

частка акцыі: 163569

Супраціўленне: 15.8 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

Пажаданні
4-2176074-2

4-2176074-2

частка акцыі: 128092

Супраціўленне: 15.4 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.03W, 1/32W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

Пажаданні
4-2176055-2

4-2176055-2

частка акцыі: 187663

Супраціўленне: 510 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

Пажаданні
4-2176069-3

4-2176069-3

частка акцыі: 165536

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.05W, 1/20W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

Пажаданні
5-1614971-0

5-1614971-0

частка акцыі: 9573

Супраціўленне: 61.9 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

Пажаданні
5-1614972-0

5-1614972-0

частка акцыі: 9633

Супраціўленне: 71.5 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

Пажаданні
5-1879360-6

5-1879360-6

частка акцыі: 9474

Супраціўленне: 2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

Пажаданні
5-1622821-0

5-1622821-0

частка акцыі: 9472

Супраціўленне: 1 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±350ppm/°C,

Пажаданні
5-1622821-1

5-1622821-1

частка акцыі: 9452

Супраціўленне: 1.2 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±350ppm/°C,

Пажаданні
5-1676274-5

5-1676274-5

частка акцыі: 78848

Супраціўленне: 27 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

Пажаданні
5-1879361-3

5-1879361-3

частка акцыі: 78891

Супраціўленне: 20 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

Пажаданні
5-1879357-9

5-1879357-9

частка акцыі: 78924

Супраціўленне: 301 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

Пажаданні
504L2000FTNCFT

504L2000FTNCFT

частка акцыі: 40434

Супраціўленне: 200 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: -50/ -150ppm/°C,

Пажаданні
504L1000FTNCFT

504L1000FTNCFT

частка акцыі: 40500

Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: -50/ -150ppm/°C,

Пажаданні
504L25R0FTNCFT

504L25R0FTNCFT

частка акцыі: 44940

Супраціўленне: 25 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: -50/ -150ppm/°C,

Пажаданні
504L50R0FTNCFT

504L50R0FTNCFT

частка акцыі: 55152

Супраціўленне: 50 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: -50/ -150ppm/°C,

Пажаданні